Czochralski method used crucible 1.jpg
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Czochralski method used crucible 1, Crucibles, Czochralski method, Twisp-Silicon-Prod, Assumed own work
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Czochralski method used crucible 1, Title: Crucible used in Czochralski method * Desc: This crucible was used to pull a silicon crystal by Czochralski method. Generally, the crucible breaks at the end of the process. Some amount of silicon rests always on the bottom after the process. We can also observe a color modification of the crucible and a texture on the crucible walls. * Author: Twisp * Date: 25.08.2005
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使用するチョクラルスキー法、 、 、 チョクラルスキー法、 Twisp-Silicon-Prod、 自作
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チョクラルスキー法1 法名:チョクラルスキー法で用いられる 法名:チョクラルスキー法で用いられる 法名:チョクラルスキー法で用いられる 法名:チョクラルスキー法でシリコン結晶を引くために用いられた。一般的に、は、プロセスの最後に破損する。シリコンの一部は、プロセスの後に常に底面に置かれます。十字状の壁面に、十字状の模様やテクスチャーを変化させることも観察できる。* 著者:Twisp * 日付:25.08.2005
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