GaAs-AlAs SL.JPG
Nicolarge
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GaAs AlAs SL, Heterojunction band diagrams, Gallium arsenide, Vector version available
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GaAs AlAs SL, GaAs/AlAs superlattice and potential profile of conduction and valence bands along the growth direction (z)., A heterostructure made of AlAs and GaAs arranged in a superlattice configuration. The resulting periodic potential arises due to the difference in band-gaps between materials., GaAs/AlAs superlattice and potential profile of conduction and valence bands along the growth direction (z).
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GaAs AlAs SL、ヘテロ接合バンド図、ヒ化ガリウム、ベクター版
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GaAs AlAs SL、GaAs/AlAs 超格子、および成長方向に沿った伝導および価電子帯の潜在的なプロファイル(z)、AlAsとGaAsで構成されたヘテロ構造が超格子構成に配置されている。結果として生じる周期ポテンシャルは、材料間のバンドギャップの違いにより生じる。 GaAs / AlAs超格子と、成長方向に沿った伝導および価電子帯のポテンシャルプロファイル(z)。
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