Sammanfattning -Influensen av pixeldesign på bildfördröjning undersöks genom att fokusera på två olika aspekter som påverkar laddningsöverföringen. För det första är det bekräftat att överföringsporten (TG) kanal doping profil starkt påverkar bildfördröjning. Införa ett steg under TG i den potentiella diagrammet, på grund av doping implantat skillnader i kanalen, möjliggör mycket bra överföring prestanda genom att begränsa spillback av laddningen till fotodioden. Å andra sidan visas det att överlappningen mellan de två implantat som används för att skapa steget kan ge upphov till en potentiell barriär under TG som ökar bildfördröjningen. Därefter klargörs inverkan av pixellayoutens geometriska parametrar (t.ex. fotodiodstorleken, TG-längden och det flytande diffusionsområdet) på laddningsöverföringens effektivitet. Hela studiens slutsatser gör det möjligt att identifiera konstruktionsparametern som begränsar överföringseffektiviteten i en given design och de möjliga designbaserade lösningarna för att förbättra den. Index Terms-Charge överföring, CMOS bildsensorer (CIS), bildfördröjning, pinned fotodiode (PPD).
De geometriska aspekter som undersökts av REF omfattar fotodiodstorleken, överföringsportens längd och lagringsområdet för sense nod (SN).
Influence of Pixel Design on Charge Transfer Performances in CMOS Image Sensors
{'venue': 'IEEE Transactions on Electron Devices', 'journal': 'IEEE Transactions on Electron Devices', 'mag_field_of_study': ['Physics']}