Läckageenergi är ett växande problem i nuvarande och framtida mikroprocessorer. Funktionella enheter av mikroprocessorer är ansvariga för en stor del av denna energi. Därför har man under de senaste åren ägnat stor uppmärksamhet åt att minska läckaget av funktionella enheter. Power gating är en av de mest använda teknikerna för att minimera läckageenergi. Strömförsörjning stänger av de funktionella enheterna under tomgångsperioderna för att minska läckaget. Mängden energibesparingar vid läckage står därför i direkt proportion till den inaktiva tidsperioden. Den här artikeln fokuserar på att öka tomgångsintervallet för de högre SIMD-körfälten. Applikationerna är profilerade dynamiskt, i en maskinvaru/programvara samdesignad miljö, för att hitta den högre SIMD-filens användningsmönster. Om de högre körfälten behöver sättas på för små tidsperioder, är motsvarande del av koden devektoriserad för att hålla de högre körfälten borta. Den devektoriserade koden körs på den lägsta SIMD-filen. Våra experimentella resultat visar att den föreslagna mekanismens genomsnittliga energibesparingar är 15%, 12% och 71% större än effekttätheten för SPECFP2006, Physicsbench respektive Eigen-riktmärkessviter. Dessutom är den avmattning som orsakas av devektorisering försumbar.
Å andra sidan använder det arbete som presenteras i REF strömförsörjning för att stänga av körfälten för SIMD-funktionsenheter vid låg DLP och motsvarande del av koden devektoriseras för att hålla de högre körfälten borta.
Efficient Power Gating of SIMD Accelerators Through Dynamic Selective Devectorization in an HW/SW Codesigned Environment
{'venue': 'TACO', 'journal': None, 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}