Abstract-Det finns ett växande intresse för framväxande icke-flyktiga minnesteknologier som Fas-ändra minne, minnesmätare och Spin-Transfer Torque RAM (STT-RAM). Särskilt STT-RAM upplever en snabb utveckling som kan vara svår att dra nytta av för forskare i minnessystem. Vad som behövs är tekniker som gör det möjligt för designers att utforska potentialen i den senaste STT-RAM design och justera prestanda utan att behöva en detaljerad förståelse av fysiken. I den här artikeln presenterar vi STETSIMS STT-RAM Simulations- och Modelleringssystem för att hjälpa forskare i minnessystem. Efter att ha gett bakgrund om driften av STT-RAM magnetiska tunnelkorsningar (MTJs), visar vi hur man anpassar tre olika publicerade MTJ-modeller till vår modell och normaliserar deras egenskaper med avseende på vanliga mätvärden. Designens snabba växlingsbeteende utvärderas med hjälp av makromagnetiska simuleringar. Vi har också lagt till en första-order-modell för STT-RAM-minnesmatriser till CACTI-minnesmodelleringsverktyget, som vi sedan använder för att utvärdera prestanda, energiförbrukning och area för: (i) en högpresterande cache, (ii) en hög kapacitet cache, och (iii) en hög densitet minne.
Smullen m.fl. REF tillhandahåller en analytisk modell för att karakterisera beteendet hos spinn-överföringsmoment RAM (STT-RAM).
The STeTSiMS STT-RAM simulation and modeling system
{'venue': "ICCAD '11", 'journal': None, 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}