Gate-inducerad dräneringsläckage (GIDL) ström undersöks i en-gate (SG) ultra-tunn body field effect transistor (FET), symmetrisk dubbel-gate (DG) FinFET och asymmetrisk DG metalloxid halvledarfälteffekt transistor (MFOSET) anordningar. Uppmätta minskningar av GIDL-ström för SG- och DG-utrustning med tunn kropp rapporteras för första gången. Den tunna kroppen enheter uppvisar mycket lägre GIDL ström än bulk-Si MFOSETs, och GIDL har visat sig minska med minskande kroppstjocklek. Dessa resultat kan förklaras av minskningen av det tvärgående elektriska fältet vid avloppets yta och ökningen av den tvärgående effektiva massan med minskande kroppstjocklek.
Effekten av Gate-Inducted Drain Läckage (GIDL) har undersökts för olika symmetriska och asymmetriska FinFETs i REF.
Investigation of Gate-Induced Drain Leakage (GIDL) Current in Thin Body Devices: Single-Gate Ultra-Thin Body, Symmetrical Double-Gate, and Asymmetrical Double-Gate MOSFETs
{'venue': None, 'journal': 'Japanese Journal of Applied Physics', 'mag_field_of_study': ['Physics']}