Flera senaste publikationer har visat att maskinvarufel i minnesundersystemet är vanligt förekommande. Dessa fel förväntas bli vanligare i framtida system som innehåller storleksordningar mer DRAM och SRAM än vad som finns i nuvarande minnesdelsystem. Dessa minnesdelsystem kommer att behöva tillhandahålla motståndskraftsteknik för att tolerera dessa fel när de används i högpresterande datorsystem och datacenter som innehåller tiotusentals noder. Därför är det viktigt att förstå effektiviteten hos nuvarande hårdvaruresistanstekniker för att avgöra om de kommer att vara lämpliga för framtida system. I den här artikeln presenterar vi en studie av DRAM- och SRAM-fel och fel från fältet. Vi använder data från två ledande datorsystem med hög prestanda för att analysera tillförlitligheten hos system för hårdvaruresiliens som används i nuvarande system. Vår studie har flera viktiga resultat om effektiviteten hos många för närvarande- * En del av detta arbete utfördes på Ultrascale Systems Research Center (USRC) vid Los Alamos National Laboratory, med stöd av USA: s Department of Energy kontrakt DE-FC02-06ER25750. Publikationen har tilldelats LANL-identifieraren LA-UR-14-26219. Tillstånd att göra digitala eller papperskopior av hela eller delar av detta arbete för personligt bruk eller klassrum beviljas utan avgift, förutsatt att kopiorna inte görs eller distribueras för vinst eller kommersiella fördelar och att kopiorna är försedda med detta meddelande och den fullständiga hänvisningen på första sidan. Upphovsrätt till delar av detta verk som ägs av andra än ACM måste hedras. Abstraktering med kredit är tillåten. För att kopiera på annat sätt, eller återpublicera, för att posta på servrar eller för att omfördela till listor, krävs tidigare specifik behörighet och/eller avgift. Begär tillstånd från authoritys@acm.org. ASPLOS '15, 14-18 mars 2015, Istanbul, Turkiet. Upphovsrätt c 2015 ACM 978-1-4503-2835-7/15/03. .... 15.00 dollar. http://dx.doi.org/10.1145 använder tillförlitlighetstekniker som DRAM ECC, DDR adress/kommando paritet, och SRAM ECC och paritet. Vi utför också en metodstudie och finner att räknefel istället för fel, en vanlig praxis bland forskare och datacenteroperatörer, kan leda till felaktiga slutsatser om systemets tillförlitlighet. Slutligen använder vi våra data för att projicera behoven hos framtida storskaliga system. Vi anser att SRAM-fel sannolikt inte kommer att utgöra ett betydligt större tillförlitlighetshot i framtiden, medan DRAM-fel kommer att vara ett stort problem och starkare DRAM-resilienssystem kommer att behövas för att upprätthålla godtagbara felfrekvenser liknande dem som finns på dagens system.
Studien som presenteras i REF visar att räkna fel istället för fel kan ha stor inverkan vid mätning av systemets tillförlitlighet.
Memory Errors in Modern Systems: The Good, The Bad, and The Ugly
{'venue': "ASPLOS '15", 'journal': None, 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}