Spin-transfer vridmoment slumpmässig åtkomst minne (STT-RAM) har fått ökad uppmärksamhet på grund av dess attraktiva egenskaper: god skalbarhet, noll standby effekt, icke-volatilitet och strålning hårdhet. Användningen av STT-RAM-teknik i den senaste nivån on-chip caches har föreslagits eftersom det minimerar cacheläckage kraft med teknik skala ner. Dessutom är cellområdet för STT-RAM endast 1/9  och 1/3 det för SRAM. Detta möjliggör en mycket större cache med samma die footprint, förbättra övergripande systemprestanda genom att minska cache missar. Att distribuera STT-RAM-teknik i L1-cache är dock en utmaning på grund av den långa och energikrävande skrivverksamheten. I detta dokument föreslår vi både L1 och lägre nivå cache design som använder STT-RAM. I synnerhet använder vår design STT-RAM-celler med olika dataretentionstid och skrivprestanda, som möjliggörs genom olika magnetiska tunnelkorsningar (MTJ) konstruktioner. För de snabba STT-RAM-bitarna med förkortad lagringstid föreslås ett motkontrollerat dynamiskt uppdateringssystem för att bibehålla uppgifternas giltighet. Vårt dynamiska system sparar mer än 80 % uppdateringsenergi jämfört med det enkla uppdateringsprogram som föreslogs i tidigare arbeten. En L1-cache byggd med extremt låg retention STT-RAM tillsammans med vårt föreslagna dynamiska uppdateringsprogram kan uppnå 9,2% i prestandaförbättring, och sparar upp till 30% av den totala energin jämfört med en som använder traditionell SRAM. För lägre nivåer cache med relativt stor cachekapacitet, föreslår vi ett datamigreringssystem som flyttar data mellan delar av cache med olika retentionsegenskaper för att maximera prestanda och effektfördelar. Våra experiment visar att i genomsnitt, vår föreslagna multi retentionsnivå STT-RAM cache minskar 30  på 70% av den totala energin jämfört med
Även en STT-RAM cache design för lägre nivå caches där olika cache sätt är utformade med olika lagringsperioder föreslås i REF.
Multi retention level STT-RAM cache designs with a dynamic refresh scheme
{'venue': 'MICRO-44', 'journal': None, 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}