Abstract-I detta papper, studerar vi en ny modell av defekta minnesceller, kallas delvis fast-på minnesceller, som motiveras av beteendet hos flera nivåer celler i icke-flyktiga minnen, såsom flash-minnen och fas förändring minnen. Om en cell kan lagra q-nivåerna 0, 1,.., q − 1, säger vi att den delvis sitter fast vid nivå s, där 1 ≤ s ≤ q − 1, om den bara kan lagra värden, som åtminstone är s. Vi följer den gemensamma installationen där kodaren känner till positionerna och nivåerna för de delvis fastsatta cellerna medan dekodern inte gör det. Vårt huvudsakliga bidrag i denna tidning är studien av koder för maskering u delvis fast-at celler. Vi får först lägre och övre gränser på redundansen av sådana koder. De övre gränserna är baserade på två triviala konstruktioner. Vi presenterar sedan tre kodkonstruktioner över ett alfabet av storlek q, genom att först överväga fallet där cellerna är delvis fast-på nivå s = 1. Den första konstruktionen fungerar för u < q och är asymptotiskt optimal om u + 1 delar q. Den andra konstruktionen använder den reducerade raden echelon form av matriser för att generera koder för fallet u ≥ q, och den tredje konstruktionen löser fallet med godtycklig u genom att använda koder, som mask binära fast-at celler. Vi visar sedan hur man generaliserar alla konstruktioner till godtyckliga fasta nivåer. Dessutom studerar vi modellen med dubbla defekter, där cellerna inte kan nå högre nivåer, och visar att koder för delvis fastnade celler också kan användas för att dölja denna typ av defekter. Sist analyserar vi kapaciteten hos den delvis fastsatta minneskanalen och studerar hur långt våra konstruktioner är från kapaciteten.
I REF uppnås förbättringar av redundansen som krävs för att maskera delvis fastsatta minnesceller, och nedre och övre gränser härleds av konstruktionerna.
Codes for Partially Stuck-At Memory Cells
{'venue': 'IEEE Transactions on Information Theory', 'journal': 'IEEE Transactions on Information Theory', 'mag_field_of_study': ['Mathematics', 'Computer Science']}