Det finns ett stort intresse av att utveckla en gasavkänningsteknik med låg effekt som på ett känsligt och selektivt sätt kan kvantifiera den kemiska sammansättningen i en målatmosfär. Nanomaterial har framträtt som extremt lovande kandidater för denna teknik på grund av deras inneboende lågdimensionella natur och höga yt-till-volym-förhållande. Bland dessa, nanoscale kisel är av stort intresse eftersom orörd kisel är i stort sett inert på egen hand i samband med gasavkänning, om inte funktionaliserade med ett lämpligt gaskänsligt material. Vi rapporterar en kemisk-känslig fälteffekttransistor (CS-FET) plattform baserad på 3,5-nm-tunn kiselkanal transistorer. Med hjälp av industrikompatibla bearbetningsmetoder ersätts den konventionella elektriskt aktiva grindstacken med ett ultratunn kemiskt känsligt skikt som är elektriskt oledande och kopplat till 3,5-nm-tunn kiselkanal. Vi demonstrerar en lågeffekt, känslig, och selektiv multiplex gas avkänning teknik med hjälp av denna plattform genom att upptäcka H 2 S, H 2, och NO 2 vid rumstemperatur för miljö, hälsa och säkerhet inom olje- och gasindustrin, vilket ger betydande fördelar jämfört med befintlig teknik. Dessutom kan det system som beskrivs här enkelt integreras med mobil elektronik för distribuerade sensornätverk i kartläggning av miljöföroreningar och personliga luftkvalitetsmätare.
Fahad m.fl. REF utrustade samma nanodrone med en kemiskt känslig fälteffekttransistorsensor (CS-FET) för detektion av väte (H2).
Room temperature multiplexed gas sensing using chemical-sensitive 3.5-nm-thin silicon transistors
{'venue': 'Science Advances', 'journal': 'Science Advances', 'mag_field_of_study': ['Biology', 'Medicine']}