Abstract-Negative Bias Temperature Iostabile (NBTI) har potential att bli en av de viktigaste show-stopparna för kretssäkerhet i nanometerskala anordningar på grund av dess skadliga effekter på transistor tröskelspänning. Nedbrytningen av PMOS-enheter på grund av NBTI leder till minskad tidsprestanda i digitala kretsar. Vi har analyserat NBTI:s inverkan på SRAM-cellernas lässtabilitet. Mängden nedbrytning i Static Noise Margin (SNM), som är ett mått på lässtabiliteten i 6-T SRAM-cellen har uppskattats med hjälp av Reaction-Diffusion (R-D). Vi föreslår en enkel lösning för att återställa SNM i SRAM-cellen med hjälp av en dataflipping teknik och presentera resultaten simulerade på BPTM 70nm och 100nm teknik. Vi jämför och utvärderar också olika genomförandemetoder för den föreslagna tekniken.
Användning av dynamisk spänningsskalning och dataflipning har också föreslagits av REF för att återställa den statiska bullermarginalen när det gäller SRAM.
Impact of NBTI on SRAM Read Stability and Design for Reliability
{'venue': "7th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED'06)", 'journal': "7th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED'06)", 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}