Abstract-Alpha, neutron och heavy-ion singel-event mätningar utfördes på både högpresterande och härdade flip-flop design i en 28-nm bulk CMOS-teknik. De experimentella resultaten stämmer mycket väl överens med simuleringsprognoserna och bekräftar att felfrekvensen för händelser kan minskas dramatiskt med hjälp av effektiv layoutdesign. Index Terms-Dual-interlocked cell (DICE), Layout design genom Error Aware Positioning (LEAP), radhard design metodik, strålning härdning, strålning härdning genom design, singel-event effekt, enstaka-eventet störningar (SEU), mjuk fel.
Lilja m.fl. REF utförde alfa-, neutron- och tunga jon singelhändelsemått på den härdade Flip-Flop-konstruktionen (FF) i bulk CMOS-teknik.
Single-Event Performance and Layout Optimization of Flip-Flops in a 28-nm Bulk Technology
{'venue': 'IEEE Transactions on Nuclear Science', 'journal': 'IEEE Transactions on Nuclear Science', 'mag_field_of_study': ['Physics']}