ABSTRACT På grund av behovet av att behandla och hantera de massiva mängderna stora data i smarta / bärbara enheter och förarlösa fordon, halvledarföretag fokuserar på att utveckla byte-adresserbara icke-flyktiga minne (NVM)-baserade lagringssystem. De byte-adresserbara NVMs, såsom fas-förändring minne, resistivt minne, och magnetoresitivt minne, betraktas som ett alternativ till NAND flash-minnen. Det har funnits många förslag och studier om användningen av NVM som huvudminne i minneshierarkin. Det har dock inte funnits mycket akademisk forskning om att använda NVM som ersättning för NAND flash-minnen. Detta dokument tillhandahåller en systemarkitektur för en NVM-baserad solid state-enhet baserad på vissa spekulationer/antaganden om NVM:s hårdvaruegenskaper. Den tillämpar de tidigare föreslagna adressmappningsalgoritmerna för konventionella solid state-enheter på NVM-baserade solid state-enheter och undersöker deras lämplighet. Optimeringen av I/O parallellism av statiska och dynamiska adressmappningsalgoritmer jämförs och analyseras. I detta dokument konstateras också effekterna av log block-policyer på de nationellaVM:s hårdvaruegenskaper. INDEX TERMS Cache lagring, flashminne, icke-flyktigt minne, programvarusystem, bärbara datorer.
Kwon REF föreslog att man skulle utveckla ett byte-adresserbart icke-flyktigt minnesbaserat lagringssystem som ett alternativ till NAND-blixtminne.
Address Translation Layer for Byte-Addressable Non-Volatile Memory-Based Solid State Drives
{'venue': 'IEEE Access', 'journal': 'IEEE Access', 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}