Abstract-Vi undersöker felkorrigeringskoder för en ny lagringsteknik för flashminnen, rank-moduleringsschemat. I detta schema lagrar en uppsättning n-celler information i den permutation som induceras av de olika laddningsnivåerna i de enskilda cellerna. Det resulterande systemet eliminerar behovet av diskreta cellnivåer, övervinner överskjutande fel vid programmering av celler (ett allvarligt problem som minskar skrivhastigheten), och lindrar problemet med asymmetriska fel. I detta dokument studerar vi egenskaperna hos felkorrigering i koderna för rankmodulering. Vi visar att adjakens graf av permutationer är en subgraf av ett flerdimensionellt utbud av en speciell storlek, en egenskap som möjliggör kodkonstruktioner baserade på Leemetriska koder. Vi presenterar en en-terror-korrigerande kod vars storlek är minst hälften av den optimala storleken. Vi presenterar också ytterligare felkorrigerande koder och några relaterade gränser.
Som observerats i REF, rank modulering eliminerar behovet av diskreta cellnivåer, övervinnar överskridande fel vid programmering celler, och lindrar problemet med asymmetrisk 0733-8716/14/$31.00 c 2014 IEEE fel.
Error-correcting codes for rank modulation
{'venue': '2008 IEEE International Symposium on Information Theory', 'journal': '2008 IEEE International Symposium on Information Theory', 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}