Abstract-Negative Bias Temperature Iostabile (NBTI) har potential att bli en av de viktigaste show-stopparna för kretssäkerhet i nanometerskala anordningar på grund av dess skadliga effekter på transistor tröskelspänning. Nedbrytningen av PMOS-enheter på grund av NBTI leder till minskad tidsprestanda i digitala kretsar. Vi har analyserat NBTI:s inverkan på SRAM-cellernas lässtabilitet. Mängden nedbrytning i Static Noise Margin (SNM), som är ett mått på lässtabiliteten i 6-T SRAM-cellen har uppskattats med hjälp av Reaction-Diffusion (R-D). Vi föreslår en enkel lösning för att återställa SNM i SRAM-cellen med hjälp av en dataflipping teknik och presentera resultaten simulerade på BPTM 70nm och 100nm teknik. Vi jämför och utvärderar också olika genomförandemetoder för den föreslagna tekniken.
NBTI-effekten på SRAM-celler har undersökts i REF, där det visas att avläsningsstabiliteten försämras på grund av NBTI, vilket står för den negativa påverkan på solcellssektorn.
Impact of NBTI on SRAM Read Stability and Design for Reliability
{'venue': "7th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED'06)", 'journal': "7th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED'06)", 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}