Abstract-Negative Bias Temperature Ostabil (NBTI) i PMOS transistors har blivit en betydande tillförlitlighet oro i dagens digitala kretsdesign. Med fortsatt skalning har effekten av NBTI snabbt vuxit i betydelse, vilket tvingar designers att ta till en pessimistisk design stil med hjälp av vaktband. Eftersom NBTI är starkt beroende av den tid som PMOS-enheten är stressad, upplever olika portar i en kombinerad krets olika grad av fördröjningsdegradering. Detta har krävt en mekanism för kvantifiering av grindfördröjningen, för att bana väg för förbättrade designstrategier. Vårt arbete tar upp denna fråga genom att tillhandahålla ett förfarande för att bestämma mängden fördröjningsnedbrytning av en krets på grund av NBTI. En analytisk modell för NBTI härleds med hjälp av ramen för Reaktionsdiffusionsmodellen, och ett matematiskt bevis för det allmänt observerade fenomenet frekvensoberoende ges. Simuleringar av ISCAS-riktmärken enligt en 70nm-teknik visar att NBTI orsakar en fördröjningsnedbrytning på ca 8% i kombinationslogikbaserade kretsar efter 10 år (¿ ¢ 1⁄21⁄4 s).
I REF föreslog författarna en analytisk modell för NBTI och visade att NBTI-effekterna är oberoende av kretsens operativa frekvens.
An analytical model for negative bias temperature instability
{'venue': "ICCAD '06", 'journal': None, 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}