Flash-minne är en typ av elektriskt raderbara programmerbara läsminnen (EEPROM). Eftersom flashminnen är icke-flyktiga och relativt täta används de nu för att lagra filer och andra ihållande föremål i handdatorer, mobiltelefoner, digitala kameror, bärbara musikspelare och många andra datorsystem där magnetskivor är olämpliga. Flash, som tidigare EEPROM-apparater, lider av två begränsningar. Först kan bitar bara rensas genom att radera ett stort minnesblock. För det andra kan varje block endast upprätthålla ett begränsat antal raderingar, varefter det inte längre tillförlitligt kan lagra data. På grund av dessa begränsningar krävs sofistikerade datastrukturer och algoritmer för att effektivt använda flashminnen. Dessa algoritmer och datastrukturer stöder effektiva uppdateringar av data som inte finns på plats, minskar antalet raderingar och jämnar ut slitaget på blocken i enheten. I denna undersökning presenteras dessa algoritmer och datastrukturer, av vilka många hittills endast har beskrivits i patent.
Gal och Toledo REF ger en detaljerad översikt över algoritmerna och deras datastrukturer.
Algorithms and data structures for flash memories
{'venue': 'CSUR', 'journal': None, 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}