Abstract-I detta papper, två statiska slumpmässiga åtkomstminnen (SRAM) celler som minskar den statiska strömavtagningen på grund av grind och subthreshold läckage strömmar presenteras. Den första cellstrukturen resulterar i minskade grindspänningar för NMOS passerar transistorer, och därmed sänker porten läckage ström. Det minskar subtröskelläckageströmmen genom att öka marknivån under det inaktiva (inaktiva) läget. Den andra cellstrukturen använder PMOS-transistorer för att sänka portens läckageström. Dessutom används dubbel tröskelspänningsteknik med framåtriktad kroppsförskjutning med denna struktur för att minska subtröskelläckage samtidigt som prestandan bibehålls. Jämfört med en konventionell SRAM-cell minskar den första cellstrukturen den totala grindläckageströmmen med 66 % och tomgångseffekten med 58 % och ökar åtkomsttiden med cirka 2 % medan den andra cellstrukturen minskar den totala grindläckageströmmen med 27 % och tomgångseffekten med 37 % utan tillgångstidsnedbrytning. Index Terms-Dual tröskel, grindläckage, låg effekt, statisk effekt, statisk slumpmässig åtkomst minne (SRAM) cell, tunnelström.
PMOS-passtransistorerna används för att sänka grindläckageströmmarna REF, medan helförsörjningssystem används för att minska undertröskelläckageströmmarna.
Design and Analysis of Two Low-Power SRAM Cell Structures
{'venue': 'IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems', 'journal': 'IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems', 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}