Eftersom läckage och andra begränsningar i laddningslagringen börjar försämra skalbarheten hos DRAM utvecklas icke-flyktiga resistiva minnen som en potentiell ersättning. Tyvärr, nuvarande felkorrigering tekniker är dåligt lämpade för denna framväxande klass av minnesteknik. Till skillnad från DRAM har PCM och andra resistiva minnen slitit livstider, mätt i böcker, som är tillräckligt korta för att göra cellfel vanliga under ett systems livstid. Men resistiva minnen är mycket mindre känsliga för övergående fel än DRAM. De Hamming-baserade ECC-koder som används i DRAM är utformade för att hantera transienta fel utan några effektiva livstidsgränser, men ECC-koder som tillämpas på resistiva minnen skulle nötas ut snabbare än de celler de är konstruerade för att reparera. I detta dokument föreslås Error-Correcting Pointers (ECP), en ny metod för felkorrigering optimerad för minnen där fel är resultatet av permanenta cellfel som inträffar, och omedelbart kan detekteras, vid skrivtiden. ECP korrigerar fel genom att permanent koda platserna för misslyckade celler till en tabell och tilldela celler att ersätta dem. ECP ger längre livslängder än tidigare föreslagna lösningar med motsvarande omkostnader. Eftersom variationen i celllivslängder ökar – en trolig följd av ytterligare processskalning – ökar också ECP:s förbättringsmarginal jämfört med befintliga system.
Ref. REF designs Error-Correcting Pointers (ECP) som permanent kodar platserna för misslyckade bitar i en tabell och ersätter misslyckade bitar med friska bitar för att korrigera skadade bitar.
Use ECP, not ECC, for hard failures in resistive memories
{'venue': "ISCA '10", 'journal': None, 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}