I ett tidigt utformningsskede förknippas traditionellt läckageeffekten med antalet transistorer i en konstruktion. Därför skulle intuitivt ett genomförande med minimal resursanvändning vara bäst för lågt läckage. En sådan tilldelning skulle i allmänhet följas av byte av optimal resursbindning för att uppnå en låg effektutformning. Denna behandling av läckagekraft är omedveten om driftsförhållanden som t.ex. temperatur. I detta dokument föreslår vi en teknik för att minska den totala läckageeffekten i en design genom att identifiera det optimala antalet resurser under tilldelning och bindning. Vi visar att, tvärtemot den allmänna tendensen att minimera antalet resurser, kan den bästa lösningen faktiskt uppnås om en viss grad av redundans tillåts. Detta beror på att läckaget är starkt beroende av temperaturprofilen på chipet. Distribuera aktivitet över ett högre antal resurser kan minska effekttätheten, ta bort potentiella hotspots och därefter minimera termiskt inducerad läckage. Å andra sidan kommer användningen av ett godtyckligt stort antal resurser inte att ge den bästa lösningen. I detta dokument visar vi att det finns en effekttäthet, därav temperatur, vid vilken den totala läckagekraften når sitt optimala värde. Ett sådant optimalt resursnummer kan vara en bättre utgångspunkt för den efterföljande kopplingsdrivna lågeffektbindningen. Vi presenterar också en högnivåeffekttäthetsmedveten läckagemodell. Baserat på denna modells uppskattningar optimerar vi den totala läckageeffekten med 53,8% i genomsnitt jämfört med minsta resursbindning och 35,7% i genomsnitt jämfört med en temperaturmedveten resursbindningsteknik.
Ni och Memik studerade termiskt framkallade läckage effektoptimering genom redundant resursallokering REF.
Thermal-induced leakage power optimization by redundant resource allocation
{'venue': "ICCAD '06", 'journal': None, 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}