Användningen av Flash-minnen i bärbara inbyggda system ökar ständigt. Detta beror på lagringskapaciteten på flera nivåer som gör dem utmärkta kandidater för minnesenheter med hög densitet. Men kostnaden för att skriva eller programmera Flash-minnen är en storleksordning som är högre än traditionella minnen. I den här artikeln designar vi en algoritm för att minska både genomsnittlig skrivenergi och latens i Flash-minnen. Vi uppnår detta genom att minska antalet dyra "01" och "10" bit-mönster under felkontrollkodning. Vi visar att algoritmen inte ändrar felkorrigeringsförmågan och dessutom förbättrar uthålligheten. Simuleringar resultat på representativa bit-stream spår visar att användningen av den föreslagna algoritmen sparar i genomsnitt 33% av skrivenergi och 31% av latens av Intel MLC NOR Flash minne, och förbättrar uthålligheten med 24%.
Referensreferensreferensen föreslog energimedvetna felkodningar för att minska skrivverksamhetens energi till NAND-blixtminne.
Energy-aware error control coding for Flash memories
{'venue': '2009 46th ACM/IEEE Design Automation Conference', 'journal': '2009 46th ACM/IEEE Design Automation Conference', 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}