Stora kapacitet innehåll adresserbar minne (CAM) är en viktig del i en mängd olika program. De oundvikliga komplexiteterna i skalning av MOS-transistorer medför en stor utmaning i förverkligandet av sådana system. Konvergens av olika tekniker, som är kompatibla med CMOS bearbetning, kan tillåta förlängning av Moores lag för några år till. Detta dokument ger en ny strategi för design och modellering av minnesmotstånd (Memristor)-baserad CAM (MCAM) med hjälp av en kombination av memristor MOS-enheter för att bilda kärnan i en minnes-/jämför logikcell som utgör byggstenen i CAM-arkitekturen. Den icke-flyktiga egenskapen och geometrin i nanoskala tillsammans med memristorns kompatibilitet med CMOS-bearbetningstekniken ökar förpackningstätheten, ger nya metoder för energihantering genom att inaktivera CAM-block utan förlust av lagrade data, minskar strömavtagningen och har utrymme för hastighetsförbättring när tekniken mognar. Index Terms-Content addressable memory (CAM), memory, memory resistor-based CAM (MCAM), memoristor (memoristor)-MOS hybridarkitektur, modellering. Manuskript
I REF, Kamran Eshraghian et al. Tillhandahåller en ny metod för utformning och modellering av memristorbaserat innehåll adresserbart minne (MCAM) med hjälp av en kombination av memristor- och MOS-enheter för att bilda kärnan i en minnes/jämför logikcell.
Memristor MOS Content Addressable Memory (MCAM): Hybrid Architecture for Future High Performance Search Engines
{'venue': 'IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems', 'journal': 'IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems', 'mag_field_of_study': ['Physics', 'Computer Science']}