GP-SIMD, en ny hybrid general-purpose SIMD arkitektur, tar upp utmaningen med datasynkronisering genom in-minne computing, genom att kombinera datalagring och massiv parallell bearbetning. I den här artikeln utforskar vi ett resistivt genomförande av GP-SIMD-arkitekturen. I resistive GP-SIMD används en ny resistiv rad och kolumnadresserbar crossbar 4F 2 som ersätter den modifierade CMOS 190F 2 SRAM lagring som tidigare föreslagits för GP-SIMD arkitektur. Användningen av den resistiva crossbaren gör det möjligt att skala GP-SIMD från några miljoner till några hundra miljoner bearbetningsenheter på en enda kisel dö. Prestanda, energiförbrukning och effekteffektivitet för en resistiv GP-SIMD jämförs med CMOS-versionen. Vi finner att PiM-arkitekturer och, specifikt, GP-SIMD drar mer nytta än andra många-kärniga arkitekturer från att använda resistivt minne. En ram för aritmetisk operation på plats på en enda multivärdig resistiv cell utforskas, vilket visar på en potential att bli en byggsten för nästa generations PiM-arkitekturer.
Amir Morad m.fl. föreslog resistive GP-SIMD processing-in-minne arkitektur REF.
Resistive GP-SIMD Processing-In-Memory
{'venue': 'TACO', 'journal': None, 'mag_field_of_study': ['Computer Science']}