LED) ආදිය වේ. සින්ක් ඔක්සයිදි සමහර දෘෂ්ටි-ඉලෙක්ට්‍රොනික යෙදීම් GaN සමඟ උපරි පථනය වේ(කාමර-උෂ්ණත්වයේ~3.4 eV). GaN සමඟ සසඳන කල්හි ZnOවලට වඩා විශාල එක්සිටෝන්(exciton binding energy) බන්දන ශක්තියක් (~60 meV, 2.4 වාරයක් කාමර-උෂ්ණත්වයේ තාප ශක්තිය) ඇත. සින්ක් ඔක්සයිඩ්, ආලෝක විමෝචක දියෝඩවල යෙදීම් සඳහා GaN සමඟ එක් කරනු ලැබේ. උදාහරණයක් ලෙස ටී.සී.ඕ.(TCO) ලේයර සහ නැනෝ ප්‍රමාණයේ සින්ක් ඔක්සයිඩ් වඩා හොඳ ආලෝකයක් ලබාදේ.ZnO වල ඉලෙක්ට්‍රොනික යෙදීම් සඳහා වන  අනෙකුත් ගුණ අතරට ඉහළ විකිරණය ශක්තිය සහ තෙත රසායනික නිරේඛණය දැක්විය හැක. ZnO හි විකිරණ ප්‍රතිරෝධකතාව එය අභ්‍යවකාශ යෙදීම් සඳහා සුදුසු වීමට හේතු වී ඇත. ZnO අහඹු විකිරණ ක්ෂේත්‍රවල ඉලෙක්ට්‍රොනික වශයෙන් පොම්පකරන පාරජම්බූල කිරණ නිෂ්පාදනයේදී වඩාත්ම විශ්වාසදායී ලෙස යොදා ගනියි.විශාල ලෙස ඉලෙක්ට්‍රොන ක්ෂේත්‍රය ඉහළ නැංවීමේදී ZnO නැනෝදඬු නිපදේ. එමනිසා ඒවා විමෝචක ක්ෂේත්‍රයක් ලෙස යොදා ගත හැක.ඇලුමියම් මාත්‍රණය කළ ZnO පාරදෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රෝඩයක් ලෙස යොදා ගත හැක. Al සහ Zn අඩංගු වූ විට සාමාන්‍යයෙන් භාවිතා වන  ඉන්ඩියම් ටින් ඔක්සයිඩ්වලට(ITO) වඩා අඩු විෂ සහ ලාබදායී වීම සඳහන්