 කළ හැක.පාරදෘශ්‍ය තුනී පටල ට්‍රන්සිස්ටර(transparent thin-film transistors) ZnO සමඟ නිෂ්පාදයන කළ හැක. ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් සහිත ට්‍රාන්සිස්ටර (ඒවාට p-n සන්ධියක්වත් අවශ්‍ය නොවනු ඇත)   ZnO හි p-වර්ගයේ මාත්‍රණ ගැටලු විසඳනු ඇත.සින්ක් ඔක්සයිඩ් නැනෝදඬු සංවේදක[සංස්කරණය]සින්ක් ඔක්සයිඩ් නැනෝදඬු සංවේදක, සින්ක් ඔක්සයිඩ් නැනෝවයර් හරහා ගමන්කරන් ඉලෙක්ට්‍රොනික විදුලියෙහි සිදුවන වෙනස්කම් නිර්ණයට යොදා ගැනේ. හයිඩ්‍රජන් වායුවේ වරණීයතාව නැනෝදඬු මතුපිටක් මත පීඩී කැටි (Pd clusters) පේෂණය කිරීමෙන් නිගමනය කෙරේ. පීඩී හි එක්කිරීම හයිඩ්‍රජන් අණු, හයිඩ්‍රජන් පරමාණු බවට හැරවීමේ උත්ප්‍රේරක විඝටනය සම්බන්ධයෙන් හොඳින් ක්‍රියාත්මක වන අතර එහිදී සංවේදක ද්‍රව්‍යයේ සංවේදීතාව ඉහළ යවනු ලැබේ. එම සංවේදකය හයිඩ්‍රජන් සාන්ද්‍රණය කාමර උෂ්ණත්වය යටතේ මිලියනයකට කොටස් 10ක් දක්වා පහත හෙලයි. නමුත් මෙය ඔක්සිජන් සඳහා කිසිදු ප්‍රතිචාරයක් නොදක්වයි.චුම්භක-ඉලෙක්ට්‍රොනික යෙදීම්[සංස්කරණය]සින්ක් ඔක්සයිඩ් චුම්භක-ඉලෙක්ට්‍රොනික යෙදීමක් ලෙස සැලකේ. 1–10% ප්‍රතිශතයකින් චුම්භක අයන මගින් මාත්‍රණය කළහොත් සින්ක් ඔක්සයිඩ්වලට, කාමර උෂ්ණත්වයේ දී පවා පෙරෝචුම