ම්ප්ටන් විසිරීම සහ රේලී විසිරීම හරහා වෙයි. මෙම අන්තර්ක්‍රියා වල ශක්තිය එක්ස් කිරණවල ශක්තිය සහ ද්‍රව්‍යයේ මූලද්‍රව්‍ය සංයුතිය මත රඳා පවතී; නමුත් රසායනික ගුණ මත බොහෝ විට රඳා නොපවතී, මක්නිසාද යත් X කිරණ ෆෝටෝන ශක්තිය රසායනික බන්ධන ශක්තීන්ට වඩා බෙහෙවින් වැඩි බැවිනි. ප්‍රකාශ අවශෝෂණය හෝ ප්‍රකාශ විද්‍යුත් අවශෝෂණය යනු මෘදු X-ray තන්ත්‍රයේ සහ අඩු දෘඩ X-ray ශක්ති සඳහා ප්‍රමුඛ අන්තර්ක්‍රියා යාන්ත්‍රණයයි. ඉහළ ශක්තීන්හිදී, කොම්ප්ටන් විසිරීම ප්‍රමුඛව සිදුවෙයි.ප්‍රකාශ විද්‍යුත් අවශෝෂණය[සංස්කරණය]ඒකක ස්කන්ධයකට ප්‍රකාශ විද්‍යුත් අවශෝෂණයක සම්භාවිතාව Z3/E3 ට ආසන්න වශයෙන් සමානුපාතික වේ, එහිදී Z යනු පරමාණුක ක්‍රමාංකය වන අතර E යනු සිද්ධි ෆෝටෝනයේ ශක්තිය වේ.[1] අන්තර්ක්‍රියා සම්භාවිතාවේ හදිසි වෙනස්කම් ඇති, අවශෝෂණ දාර ලෙස හැඳින්වෙන අභ්‍යන්තර කවච ඉලෙක්ට්‍රෝන බන්ධන ශක්තීන්ට ආසන්නව මෙම නියමය වලංගු නොවේ. කෙසේ වෙතත්, අඩු ෆෝටෝන ශක්තීන් සහ ඉහළ පරමාණුක ක්‍රමාංක සඳහා ඉහළ අවශෝෂණ සංගුණක සහ ඒ අනුව කෙටි විනිවිද යාමේ ගැඹුරේ සාමාන්‍ය ප්‍රවණතාවය ඉතා ප්‍රබල වේ. මෘදු පටක සඳහා, 26 keV ෆෝටෝන ශක්තියක් දක්වා ප්‍රකාශ අවශෝෂණ ආධිපත්‍