Ở tốc độ nào là dòng chảy nguồn tăng lên khi dòng cổng nguồn tăng lên?
Trong FET, dòng điện từ nguồn đến nguồn chảy qua kênh dẫn kết nối vùng nguồn với vùng thoát nước. Độ dẫn điện được thay đổi bởi điện trường được tạo ra khi điện áp được áp dụng giữa cổng và đầu cuối nguồn; do đó dòng điện chảy giữa cống và nguồn được điều khiển bởi điện áp được áp dụng giữa cổng và nguồn. Khi điện áp nguồn cổng (VGS) tăng lên, dòng điện nguồn cống (IDS) tăng theo cấp số nhân cho VGS dưới ngưỡng, và sau đó ở tốc độ gần như bậc hai (IGS  (VGS - VT) 2) (trong đó VT là điện áp ngưỡng bắt đầu dòng cống) trong vùng "giới hạn điện tích không gian" trên ngưỡng. Một hành vi bậc hai không được quan sát thấy trong các thiết bị hiện đại, ví dụ, tại nút công nghệ 65 nm.
Tỷ lệ xấp xỉ bậc hai.