Đèn LED không thực tế đầu tiên là gì?
Vào tháng 9 năm 1961, khi làm việc tại Texas Instruments ở Dallas, Texas, James R. Biard và Gary Pittman đã phát hiện ra phát xạ ánh sáng gần hồng ngoại (900 nm) từ một diode đường hầm mà họ đã xây dựng trên đế GaAs. Đến tháng 10 năm 1961, họ đã chứng minh sự phát xạ ánh sáng và khớp nối tín hiệu hiệu quả giữa bộ phát sáng giao điểm p-n GaAs và bộ phát quang bán dẫn cách ly điện. Vào ngày 8 tháng 8 năm 1962, Biard và Pittman đã nộp bằng sáng chế có tiêu đề "Diod bức xạ bán dẫn" dựa trên những phát hiện của họ, mô tả một đèn LED giao điểm p-n khuếch tán kẽm với một tiếp xúc catốt cách nhau để cho phép phát ra ánh sáng hồng ngoại hiệu quả dưới sự thiên vị về phía trước. Sau khi thiết lập mức độ ưu tiên của công việc của họ dựa trên các máy tính xách tay kỹ thuật có trước các bài nộp từ GE Labs, RCA Research Labs, IBM Research Labs, Bell Labs và Lincoln Lab tại MIT, văn phòng bằng sáng chế Hoa Kỳ đã cấp cho hai nhà phát minh bằng sáng chế cho diode phát sáng hồng ngoại (IR) GaAs (Bằng sáng chế Hoa Kỳ US3293513), đèn LED thực tế đầu tiên. Ngay sau khi nộp bằng sáng chế, Texas Instruments (TI) đã bắt đầu một dự án sản xuất điốt hồng ngoại. Vào tháng 10 năm 1962, TI đã công bố sản phẩm thương mại LED đầu tiên (SNX-100), sử dụng tinh thể GaAs nguyên chất để phát ra đầu ra ánh sáng 890 nm. Vào tháng 10 năm 1963, TI đã công bố đèn LED bán cầu thương mại đầu tiên, SNX-110.