Nr. L 24/36 ‚ Publikatieblad van de Europese Gemeenschappen 27.1. 87 RICHTLIJN VAN DE RAAD van 16 december 1986 betreffende de rechtsbescherming van topografieën van halfgeleiderprodukten (87/54/EEG) DE RAAD VAN DE EUROPESE GEMEENSCHAPPEN, Gelet op het Verdrag tot oprichting van de Europese Economische Gemeenschap, inzonderheid op artikel 100, Gezien het voorstel van de Commissie (!), Gezien het advies van het Europese Parlement (), Gezien het advies van het Economisch en Sociaal Comité (?), Overwegende dat halfgeleiderprodukten in een groot aantal sectoren van de industrie een steeds belangrijkere rol spelen en dat de halfgeleidertechnologie dan ook als van fundamenteel belang voor de industriële ontwikkeling van de Gemeenschap kan worden beschouwd ; Overwegende dat de functies van halfgeleiderprodukten voornamelijk afhangen van de topografieën van deze produkten en dat voor de ontwikkeling van deze topogra- fieën belangrijk menselijk en technisch potentieel en aanzienlijke financiële middelen moeten worden ingezet, terwijl zij voor een fractie van de kosten die moeten worden besteed om deze topografieën zelfstandig te ontwikkelen, kunnen worden gekopieerd ; Overwegende dat topografieën van halfgeleiderprodukten thans niet in alle Lid-Staten door de geldende wetgeving duidelijk worden beschermd en dat waar deze bescherming wel bestaat, zij uiteenlopende kenmerken vertoont ; Overwegende dat verschillen die bestaan in de door de wetgeving der Lid-Staten voor halfgeleiderprodukten geboden rechtsbescherming een rechtstreekse en negatieve invloed hebben op de werking van de gemeen- schappelijke markt voor halfgeleiderprodukten ; dat het gevaar bestaat dat deze verschillen nog zullen toenemen wanneer door Lid-Staten nieuwe wetgeving ter zake wordt uitgevaardigd ; Overwegende dat bestaande verschillen die een dergelijke invloed hebben, dienen te worden weggenomen en dat moet worden voorkomen dat er zich nieuwe verschillen voordoen die de gemeenschappelijke markt nadelig beïnvloeden ; Overwegende dat, wat betreft de uitbreiding van de rechtsbescherming tot personen buiten de Gemeenschap, de Lid-Staten vrij moeten zijn om zelfstandig te handelen indien er binnen een bepaalde tijd geen communautaire besluiten zijn genomen ; Overwegende dat het communautaire juridische kader op Het stuk van de bescherming van topografieën van halfge- (} PB nr. C 360 van 31. 12. 1985, blz. 14. (3 PB nr. C 255 van 13. 10. 1986, biz. 249. (3) PB nr. C 189 van 28. 7. 1986, blz. 5. leiderprodukten in eerste aanleg kan worden beperkt tot bepaalde grondbeginselen door te .voorzien in voorschriften waarin wordt aangegeven wie en wat moet worden beschermd, op welke exclusieve rechten beschermde personen zich kunnen beroepen voor het verlenen van toestemming voor bepaalde handelingen of voor het verbieden daarvan, welke uitzonderingen er op die rechten zijn, alsmede voor welke duur de bescherming geldt ; Overwegende dat andere onderwerpen voorlopig overeen- komstig het nationale recht kunnen worden geregeld, in het bijzonder de ' vraag of registratie of deponering voorwaarde voor bescherming moet zijn en, met uitzon- dering van een bepaling inzake licenties die zijn verleend uitsluitend omdat een bepaalde periode is verstreken, de vraag of en onder welke voorwaarden gedwongen licenties voor beschermde topografieën kunnen worden verleend ; Overwegende dat de bescherming van topografieën van halfgeleiderprodukten overeenkomstig deze richtlijn de toepassing van andere vormen van bescherming onverlet moet laten ; Overwegende dat, terwijl in een later stadium, zo nodig, andere maatregelen betreffende de rechtsbescherming van topografieën van halfgeleiderprodukten in overweging kunnen worden genomen, thans de toepassing door alle Lid-Staten van gemeenschappelijke beginselen overeen- komstig de bepalingen van deze richtlijn dringend geboden is, HEEFT DE VOLGENDE RICHTLIJN VASTGESTELD : HOOFDSTUK 1 Definities Artikel 1 1. In deze richtlijn wordt verstaan onder : a) „halfgeleiderprodukt” : een produkt in zijn definitieve of intermediaire vorm : Ï) dat bestaat. uit een plak materiaal die een laag halfgeleidermateriaal bevat, en iĳ) waarop volgens een vooraf bepaald driedimen- sionaal patroon een of meer lagen geleidend, isolatie- of halfgeleidermaáteriaal zijn aangebracht, en ii) dat bestemd is om uitsluitend elektronische functies of elektronische en andere functies te zamen te vervullen;